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獨立創(chuàng)新性的國產(chǎn)存儲將具有更加美好的未來 7月20日、21日，2018全球存儲半導體大會暨全球閃存技術(shù)峰會（簡稱“GSS”大會）在武漢光谷召開，大會以“構(gòu)建閃存新生態(tài)”為主題，針對全球閃存和存儲半導體的產(chǎn)業(yè)新生態(tài)、行業(yè)新熱點、企業(yè)新發(fā)展，進行了全面的分析和解讀。 在本次大會SSD設(shè)計與控制器技術(shù)論壇上，華瀾微電子總裁駱建軍博士發(fā)表了以《閃存控制器架構(gòu)》為主題的演講。從自己將近20年的存儲控制器設(shè)計經(jīng)驗入手，駱總為在場的嘉賓首先分享了華瀾微的存儲控制器經(jīng)驗，存儲可靠性優(yōu)勢突出的前提下，必須有自己的積累，包括專利積累、IP積累、協(xié)議積累、經(jīng)驗積累，才能夠做好存儲控制器，才能夠得到客戶的信任，這些技術(shù)基礎(chǔ)不是靠購買和授權(quán)可以得到的，中國企業(yè)要進一步加強“內(nèi)功”修煉、重視技術(shù)積累。華瀾微能夠保持出貨量持續(xù)高速增長、并進入國際市場，也是建立在這一基礎(chǔ)上的。
從閃存應用的最初的USB、SD、CF到今天的NVMe 控制器，駱總在演講中分析了在閃存控制器架構(gòu)方面已經(jīng)有了各種新的變化，以及新的控制器架構(gòu)方面提出的更多挑戰(zhàn)。所有變化都是為了讓客戶有更可靠的穩(wěn)定性、更高的性能和更加經(jīng)濟易用。首先四代和五代PCIe技術(shù)以及更新版本NVMe技術(shù)的發(fā)展，能夠為用戶提供更高帶寬和更便捷的應用，其次，更加經(jīng)濟性的閃存需要用到糾錯性更好地算法，如LDPC以及未來更好的糾錯算法，第三，更多的企業(yè)級產(chǎn)品和細分應用的需求都會對存儲控制器提出更高要求，如Multi Namespace以及具有計算功能的控制器。 未來控制器的發(fā)展，存儲密度導向和性能導向?qū)谴鎯刂破魑磥戆l(fā)展的重點。隨著閃存制造技術(shù)從SLC、2D發(fā)展到目前的TLC、QLC和3D，成本降低的同時，存儲密度的增高越來越快，最近幾年，各國際廠商都提出了高密度的固態(tài)硬盤，如何提高存儲密度是控制器發(fā)展的重大挑戰(zhàn)。與傳統(tǒng)HDD制造工藝發(fā)展擴展容量困難相比，SSD存儲密度的提高也為數(shù)據(jù)中心等需要高密度存儲發(fā)展提供了很好的解決方案。對控制器的設(shè)計要求上，除了需要驅(qū)動大量閃存顆粒帶來尺寸增加外，大量芯片引腳的增加也為存儲大容量小體積的發(fā)展帶來了很多困難。內(nèi)置RAID和SWITCH功能的控制器架構(gòu)將不僅能夠為密度提高增加幫助，還將為數(shù)據(jù)穩(wěn)定性提供更多的保障，能夠結(jié)合更適合客戶應用的企業(yè)級產(chǎn)品特性和適應云計算大數(shù)據(jù)應用需求，將會更好推進國產(chǎn)產(chǎn)品迭代，推動中國存儲企業(yè)進一步領(lǐng)導存儲發(fā)展。這一技術(shù)上，華瀾微在全球發(fā)表了相關(guān)論文，并取了相關(guān)的中國與美國專利，具體產(chǎn)品實現(xiàn)方面，我們通過驅(qū)動更多閃存介質(zhì)的方法將存儲容量提高到2.5英寸標準9mm厚度下的單盤10TB和20TB的高密度，為全球客戶提供了容量密度方面最優(yōu)的選擇。此外，以太網(wǎng)接口將會是未來SSD發(fā)展的重要里程，與今天SSD需要通過其他設(shè)備交換數(shù)據(jù)相比，未來直接具有以太網(wǎng)接口而不是現(xiàn)在的SATA、SAS、PCIE接口的SSD將會直接替代NAS、普通服務器，而更進一步，具有SDS（軟件定義存儲）功能的以太網(wǎng)接口SSD，配合成本越來越低的SDN（軟件定義網(wǎng)絡）的網(wǎng)絡交換機，將會為數(shù)據(jù)中心、云服務、個人應用提供更加簡單、可靠以及經(jīng)濟的數(shù)據(jù)服務。另一方面，存儲性能發(fā)展上，多顆DRAM和多顆閃存的組合以及上層應用系統(tǒng)的配合將會提供各種組合的NVDIMM，如目前各系統(tǒng)廠商正在使用的NVDIMM-N，未來進一步發(fā)展的NVDIMM-P技術(shù)，這些組合將為需要提高更高IOPS和更多復雜功能如邊緣計算、人工只能算法植入提供更加有效的配合，讓未來的存儲變得更加高效、可靠以及帶來更為廣泛的應用，華瀾微在這一方面擁有多項專利，并通過和國際相關(guān)組織的交流，逐步形成自己的技術(shù)積累，這一技術(shù)目前雖沒有廣泛應用，但一定是值得國內(nèi)廠商投入的未來具有發(fā)展意義的新技術(shù)。尤其是，中國企業(yè)要未雨綢繆，在技術(shù)發(fā)展的初期就介入標準建設(shè)、專利積累。借此機會，我們將可以與國際廠商一起發(fā)展，憑借國產(chǎn)廠商自己獨立的創(chuàng)新性，結(jié)合更多的國產(chǎn)規(guī)模性細分應用，與國際廠商站在同一個起跑線上，贏取存儲美好應用的未來。 在存儲關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展方面，駱總特意提到了，在存儲控制器中發(fā)展加密硬件IP的優(yōu)勢和機遇，作為2013年就通過國密算法認證的存儲控制器企業(yè)，華瀾微利用自己高速加密的優(yōu)勢存儲加密應用上全球出貨量猛增，擁有全球最好的相關(guān)廠商，加密技術(shù)帶來的隨機離散型數(shù)據(jù)例如Homogeneous技術(shù)也為數(shù)據(jù)可靠性提供更好的幫助。國內(nèi)廠商通過掌握該技術(shù)并結(jié)合國內(nèi)國密算法的高速加密應用，能夠為自己打開另外一扇應用的窗口，并可打破美國AES 256加密算法芯片的禁錮、提供國產(chǎn)芯片基礎(chǔ)上和存儲應用的信息安全。 最后，作為下月的全球閃存峰會（FMS）組織者之一，駱總邀請各位嘉賓去美國硅谷的圣塔克拉拉參加FMS，并坦言希望有機會與本次大會主辦機構(gòu)一起將FMS帶進中國，讓國內(nèi)存儲企業(yè)有更多和國外同行互動的機會。中國企業(yè)要融入國際市場，通過這些互動可以讓上下游廠商進一步有力合作，建造更加廣泛的存儲應用，并將具有自己獨立創(chuàng)新性優(yōu)勢的國內(nèi)企業(yè)推向全球，讓國產(chǎn)存儲在全球各地的應用落地開花，享受到中國存儲帶給他們的美好體驗。
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